“碳中和”趋势不断推动，第三代半导体材料碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)在近些年不断“出圈”。它们具有耐高温、耐高压、高频率、大功率等特点，相比硅基半导体可以降低50%以上的能量损失，同时使装备体积减小75%以上，在提高能效、系统小型化、提高耐压等方面具有优势，是助力节能减排并实现“碳中和”目标的重要发展方向。

PCIM Asia上海国际电力元件、可再生能源展览会中的碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)品牌厂商众多，每场展会都有SiC或GaN的新产品和技术展出，成为国内了解第三代半导体的重要平台。下面是PCIM Asia 2022碳化硅和氮化镓参展商的最新动向。

2022年开工第一天， 派恩杰半导体即发布了65W PD 快充碳化硅方案，首次把以往只用于新能源汽车， 航天和高功率密度要求的电源产品等的碳化硅技术导入消费者随身携带的USB PD快充上。派恩杰半导体此次发布的65W PD快充碳化硅方案采用的是派恩杰半导体的 650V/300mohm的SiC MOSFET。

新产品可配合现有PWM控制器进行方案设计，并可直接在不更改任何驱动方案情况下取代原有硅功率器件的应用， 这款SiC MOSFET可直接以PWM 控制器进行直驱，不需要额外使用门极驱动器。在这款应用方案中，采用的PWM IC是RT7790。

可应用于QR Flyacak 65W USB PD快充方案，功率密度可达到1.98W/cm³。在110Vac输入时输出满载最高效率可达93.52%， 在220Vac输入时可达93.89%， 符合DoE 6级能效标准。

罗姆将在2022年春季之前开始量产被视为新一代半导体的氮化镓（GaN）半导体。这是能提高供电和控制效率的“功率半导体”，据称和此前的硅半导体相比，新产品能把电流切换时的损耗减少6成。罗姆将在日本滨松市的工厂建设生产设备，首先面向5G基站等供货。

罗姆将量产能承受150伏电压的产品，用于数据中心和通信基站。在2021年9月，已经启动样品供货。新产品采取在硅晶圆之上形成氮化镓层的结构，包括滨松市工厂在内，罗姆将在海内外各基地进行生产。

国内领先的碳化硅（SiC）功率半导体和芯片解决方案提供商——上海瞻芯电子科技有限公司，近日宣布完成由小鹏汽车独家投资的战略融资。距离去年10月融资，短短数月，瞻芯电子再次获得新能源汽车企业的投资，表明瞻芯电子完全自主研发的SiC MOSFET、SBD，以及驱动和控制芯片产品和技术，获得了主流新能源汽车企业的高度认可。本次融资，将继续用于瞻芯电子的市场开拓、补充研发和运营资金，并持续引入优秀人才。

2020年9月11日，瞻芯电子具有完全自主知识产权的碳化硅1200V 80mohm MOSFET产品通过工规级（JEDEC）认证，成为国内主流的工业级SiC MOSFET功率器件厂商。

小鹏汽车副总裁张晓枫、投资总监张小奇表示：乐鱼很欣喜地看到瞻芯在车规级高电压、低电阻SiC MOSFET器件上的突破，以及自建SiC产线的有序推进，即将打通从设计到生产的闭环；产品上也形成了由驱动芯片、SiC SBD、SiC MOSFET及功率模块组成的完整产品线。乐鱼相信瞻芯团队凭借其多年合作的默契、深厚的研发经验和多年的制造工艺积淀，一定能在国产SiC领域持续领跑，并成为全球领军企业之一，乐鱼也期待与瞻芯有更多的合作。